🚚 Free Worldwide Shipping on All Orders!Shop Now
VGF InP (100) Fe doped, 2"x0.35 mm wafer, 1sp - IPFea50D035C1US
HomeStore

VGF InP (100) Fe doped, 2"x0.35 mm wafer, 1sp - IPFea50D035C1US

VGF InP (100) Fe doped, 2"x0.35 mm wafer, 1sp - IPFea50D035C1US

VGF InP single crystal wafer Orientation:   (100)
Size:                                                      2" diameter x 0.35mm
Doping:                                                  Fe doped
Conducting type:                                     Semi-Insulating
Resistivity:                                              (1.96-5.15) E7 ohm.cm
Mobility:                                                 2200-2560 cmE2/V.s
EPD:                                                      <5000 /cmE2
Polish:                                                   one side polished

EPI ready surface and packing

Related Products

Other GaAs


InSb

Other InAs

 InP 


GaSb

Wafer Box

Film Coater

RTP Furnaces



 

$475.65

Original: $1,359.00

-65%
VGF InP (100) Fe doped, 2"x0.35 mm wafer, 1sp - IPFea50D035C1US

$1,359.00

$475.65

VGF InP (100) Fe doped, 2"x0.35 mm wafer, 1sp - IPFea50D035C1US

VGF InP single crystal wafer Orientation:   (100)
Size:                                                      2" diameter x 0.35mm
Doping:                                                  Fe doped
Conducting type:                                     Semi-Insulating
Resistivity:                                              (1.96-5.15) E7 ohm.cm
Mobility:                                                 2200-2560 cmE2/V.s
EPD:                                                      <5000 /cmE2
Polish:                                                   one side polished

EPI ready surface and packing

Related Products

Other GaAs


InSb

Other InAs

 InP 


GaSb

Wafer Box

Film Coater

RTP Furnaces



 

Product Information

Shipping & Returns

Description

VGF InP single crystal wafer Orientation:   (100)
Size:                                                      2" diameter x 0.35mm
Doping:                                                  Fe doped
Conducting type:                                     Semi-Insulating
Resistivity:                                              (1.96-5.15) E7 ohm.cm
Mobility:                                                 2200-2560 cmE2/V.s
EPD:                                                      <5000 /cmE2
Polish:                                                   one side polished

EPI ready surface and packing

Related Products

Other GaAs


InSb

Other InAs

 InP 


GaSb

Wafer Box

Film Coater

RTP Furnaces



 

VGF InP (100) Fe doped, 2"x0.35 mm wafer, 1sp - IPFea50D035C1US | MTI Online Store